Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
500
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
1mA
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
15.75mm
Ancho
5.15mm
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Altura
20.15mm
Dimensiones del Cuerpo
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 5 | € 2,086 | € 10,43 |
10 - 95 | € 1,764 | € 8,82 |
100 - 245 | € 1,383 | € 6,92 |
250 - 495 | € 1,328 | € 6,64 |
500+ | € 1,161 | € 5,81 |
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
500
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
1mA
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
15.75mm
Ancho
5.15mm
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Altura
20.15mm
Dimensiones del Cuerpo
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.