MOSFET STMicroelectronics STW56N60DM2, VDSS 600 V, ID 50 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh DM2
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
360 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
90 nC @ 10 V
Ancho
5.15mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
20.15mm
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh DM2
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
360 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
90 nC @ 10 V
Ancho
5.15mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
20.15mm
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
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