MOSFET STMicroelectronics STW24N60M2, VDSS 650 V, ID 18 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Profundidad
5.15mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 10 V
Altura
20.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Temperatura Máxima de Operación
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Material del transistor
Si
Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 10 V
Altura
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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País de Origen
China
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MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
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