MOSFET STMicroelectronics STS10P4LLF6, VDSS 40 V, ID 10 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2,7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 4,5 V
Altura
1.5mm
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1.928,55
€ 0,771 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
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Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
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Material del transistor
Si
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 4,5 V
Altura
1.5mm
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
China
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