MOSFET STMicroelectronics STP55NF06, VDSS 60 V, ID 50 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44,5 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.4mm
Profundidad
4.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.15mm
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44,5 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.4mm
Profundidad
4.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.15mm
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STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
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