Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
50 nC @ 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.3mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 2,852
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 5 | € 2,852 | € 14,26 |
10 - 95 | € 2,42 | € 12,10 |
100 - 495 | € 1,885 | € 9,42 |
500 - 995 | € 1,601 | € 8,00 |
1000+ | € 1,333 | € 6,66 |
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
50 nC @ 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.3mm
Datos del producto