MOSFET STMicroelectronics STL8N10LF3, VDSS 100 V, ID 20 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Series
STripFET F3
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
6.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20,5 nC a 10 V
Altura
0.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 0,828 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
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Profundidad
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Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
20,5 nC a 10 V
Altura
0.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
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