MOSFET STMicroelectronics STD40NF10, VDSS 100 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
STripFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
28 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46,5 nC a 10 V
Ancho
6.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 1.524,90
€ 0,61 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
€ 1.524,90
€ 0,61 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
STripFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
28 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46,5 nC a 10 V
Ancho
6.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products