Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
80000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44,5 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.6mm
Ancho
6.2mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.4mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 0,377
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
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5
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Especificaciones
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STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
80000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44,5 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.6mm
Ancho
6.2mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.4mm
Datos del producto