MOSFET STMicroelectronics STB140NF75T4, VDSS 75 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
75 V
Series
STripFET F3
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
310000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
9.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Altura
4.6mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
9.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Altura
4.6mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
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