MOSFET STMicroelectronics PD55015-E, VDSS 40 V, ID 5 A, PowerSO de 10 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PowerSO
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
10
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
73000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+165 °C
Longitud
9.6mm
Profundidad
9.5mm
Material del transistor
Si
Ganancia de Potencia Típica
14 dB
Altura
3.6mm
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+165 °C
Longitud
9.6mm
Profundidad
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Material del transistor
Si
Ganancia de Potencia Típica
14 dB
Altura
3.6mm
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Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
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