Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.1mA
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Altura
9.15mm
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Profundidad
4.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Cinta)
5
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NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.1mA
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Altura
9.15mm
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Profundidad
4.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.