Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-18 V, +18 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,4 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.03mm
Profundidad
1.73mm
Series
STripFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.2mm
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Price on asking
Estándar
50
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N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-18 V, +18 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,4 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.03mm
Profundidad
1.73mm
Series
STripFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.2mm