Fototransistor NPN Osram Opto de amplio espectro, rango onda λ 350 → 950 nm, corriente Ic 20mA, mont. SMD, SMD

Código de producto RS: 170-9651Marca: OSRAM Opto SemiconductorsNúmero de parte de fabricante: SFH 3710-Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Espectros Detectados

Infrarrojo, Ultravioleta, Luz Visible

Spectrum(s) Detected

Infrared, Ultraviolet, Visible Light

Number of Channels

1

Maximum Light Current

12.5µA

Corriente de Oscuridad Máxima

3nA

Ángulo de Sensibilidad Media

120 °

Polarity

NPN

Number of Pins

1

Tipo de montaje

Surface Mount

Encapsulado

SMD

Dimensiones del Cuerpo

2.1 x 1.35 x 0.9mm

Corriente del Colector

20mA

Rango Espectral de Sensibilidad

350 → 950 nm

Mínima Longitud de Onda Detectada

350nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

950nm

Ancho

1.35mm

Altura

0.9mm

Longitud:

2.1mm

País de Origen

Taiwan, Province Of China

Datos del producto

Sensores de luz ambiental - Vlambda

Una gama de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, con características V-Lambda mejoradas. Estos fototransistores compactos son adecuados para una gama amplia de aplicaciones incluidas: detectores de luz ambiental, fotómetros para luz de día y luz artificial, sensor para atenuación de retroiluminación y para circuitos de control y accionamiento.

Adaptado a la sensibilidad del ojo humano (Vλ)

Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors

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Infrarrojo, Ultravioleta, Luz Visible

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Number of Channels

1

Maximum Light Current

12.5µA

Corriente de Oscuridad Máxima

3nA

Ángulo de Sensibilidad Media

120 °

Polarity

NPN

Number of Pins

1

Tipo de montaje

Surface Mount

Encapsulado

SMD

Dimensiones del Cuerpo

2.1 x 1.35 x 0.9mm

Corriente del Colector

20mA

Rango Espectral de Sensibilidad

350 → 950 nm

Mínima Longitud de Onda Detectada

350nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

950nm

Ancho

1.35mm

Altura

0.9mm

Longitud:

2.1mm

País de Origen

Taiwan, Province Of China

Datos del producto

Sensores de luz ambiental - Vlambda

Una gama de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, con características V-Lambda mejoradas. Estos fototransistores compactos son adecuados para una gama amplia de aplicaciones incluidas: detectores de luz ambiental, fotómetros para luz de día y luz artificial, sensor para atenuación de retroiluminación y para circuitos de control y accionamiento.

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