Fotodiodo InGaAs OSI Optoelectronics FCI-InGaAS, λ sensibilidad máx. 1550nm, mont. pasante, encapsulado TO-8 de 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
OSI OptoelectronicsLongitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
1550nm
Encapsulado
TO-8
Tipo de montaje
Through Hole
Función de amplificador
No
Number of Pins
8
Material del Diodo
InGaAs
Mínima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1620nm
Tiempo de Bajada Típico
24ns
Longitud:
13.97mm
Altura
6.6mm
Diámetro
15.24mm
Fotosensibilidad de Pico
0.95A/W
Series
FCI-InGaAS
Polarity
Reverse
Typical Rise Time
24ns
Datos del producto
Fotodiodos InGaAs de gran área activa OSI
La serie FCI-InGaAs-xxx-x, de OSI Optoelectronics, son fotodiodos InGaAs de gran área activa. Es una gama de detectores sensibles a infrarrojos que ofrecen responsividad alta (1.100-1.620 nm). Se suministran en encapsulados TO-46 o TO-5 con una ventana plana. Las aplicaciones adecuadas para esta familia de fotodiodos incluye: instrumentación de infrarrojos, control, instrumentación óptica, medida de potencia, detección por infrarrojos y dispositivos médicos.
Características:
Gran área activa: 1 mm, 1,5 mm y 3 mm
Responsividad alta
Bajo ruido
Rango espectral: 900 nm - 1.700 nm
Photodiodes, OSI Optoelectronics
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Mínima Longitud de Onda Detectada
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Altura
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Diámetro
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Fotosensibilidad de Pico
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Series
FCI-InGaAS
Polarity
Reverse
Typical Rise Time
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Fotodiodos InGaAs de gran área activa OSI
La serie FCI-InGaAs-xxx-x, de OSI Optoelectronics, son fotodiodos InGaAs de gran área activa. Es una gama de detectores sensibles a infrarrojos que ofrecen responsividad alta (1.100-1.620 nm). Se suministran en encapsulados TO-46 o TO-5 con una ventana plana. Las aplicaciones adecuadas para esta familia de fotodiodos incluye: instrumentación de infrarrojos, control, instrumentación óptica, medida de potencia, detección por infrarrojos y dispositivos médicos.
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Gran área activa: 1 mm, 1,5 mm y 3 mm
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