Fotodiodo InGaAs OSI Optoelectronics FCI-InGaAs, IR, λ sensibilidad máx. 1550nm, mont. pasante, encapsulado TO-46, TO-5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
OSI OptoelectronicsEspectros Detectados
Infrarrojo
Spectrum(s) Detected
Infrared
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
1550nm
Encapsulado
TO-46, TO-5
Tipo de Montaje
Through Hole
Función de amplificador
No
Number of Pins
1
Material del Diodo
InGaAs
Mínima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1620nm
Altura
3.81mm
Fotosensibilidad de Pico
0.95A/W
Diámetro
5.4mm
Polarity
Reverse
Series
FCI-InGaAS
País de Origen
United States
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Mínima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
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