Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 (Continuous) A, 15 (Peak) A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-218
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
20
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.7mA
Altura
20.35mm
Profundidad
4.9mm
Disipación de Potencia Máxima
80000 mW
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
15.2mm
Corriente de base
3A
País de Origen
China
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€ 1,976
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
30 - 90 | € 1,976 | € 59,29 |
120 - 480 | € 1,621 | € 48,63 |
510 - 990 | € 1,373 | € 41,19 |
1020 - 2490 | € 1,226 | € 36,77 |
2520+ | € 1,223 | € 36,70 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 (Continuous) A, 15 (Peak) A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-218
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
20
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.7mA
Altura
20.35mm
Profundidad
4.9mm
Disipación de Potencia Máxima
80000 mW
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
15.2mm
Corriente de base
3A
País de Origen
China