MOSFET onsemi NVMYS025N06CLTWG, VDSS 60 V, ID 21 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
21,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
LFPAK, SOT-669
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
43 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
24000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.25mm
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,8 a 10 V NC
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
1.15mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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€ 0,304
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Modo de Canal
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Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.25mm
Longitud:
5mm
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5,8 a 10 V NC
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1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
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