MOSFET onsemi NTR4003NT3G, VDSS 30 V, ID 560 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
560 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,241
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
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Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,241 | € 12,03 |
| 500 - 1200 | € 0,222 | € 11,09 |
| 1250 - 2450 | € 0,209 | € 10,44 |
| 2500 - 4950 | € 0,192 | € 9,62 |
| 5000+ | € 0,177 | € 8,86 |
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Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 4,5 V
Ancho
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Si
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