Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,5 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,333
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
2
€ 0,333
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
2
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
2 - 98 | € 0,333 | € 0,67 |
100 - 198 | € 0,321 | € 0,64 |
200 - 498 | € 0,262 | € 0,52 |
500 - 998 | € 0,25 | € 0,50 |
1000+ | € 0,232 | € 0,46 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,5 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto