Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
920 μΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
166000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
86 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Serie
NTMFS5C410N
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
920 μΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
166000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
86 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Serie
NTMFS5C410N
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto