Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
100 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
349 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones
16.25 x 5.3 x 21.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Capacitancia de puerta
3085pF
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Datos del producto
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 5,961
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
€ 5,961
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 8 | € 5,961 | € 11,92 |
10 - 98 | € 5,064 | € 10,13 |
100 - 248 | € 4,054 | € 8,11 |
250 - 498 | € 3,831 | € 7,66 |
500+ | € 3,591 | € 7,18 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
100 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
349 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones
16.25 x 5.3 x 21.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Capacitancia de puerta
3085pF
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Datos del producto
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.