Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.3 to 1.5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Ancho
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 0,244
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 0,244
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Empaque de Producción (Rollo)
100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
100 - 225 | € 0,244 | € 6,09 |
250 - 475 | € 0,211 | € 5,28 |
500 - 975 | € 0,186 | € 4,64 |
1000+ | € 0,169 | € 4,22 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.3 to 1.5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Ancho
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.