Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.5 to 20mA
Maximum Drain Gate Voltage
25V dc
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 Ω
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
11pF
Dimensiones
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Altura
1.01mm
Profundidad
1.4mm
Datos del producto
JFET de canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,216 | € 2,16 |
100 - 240 | € 0,105 | € 1,05 |
250 - 490 | € 0,10 | € 1,00 |
500 - 990 | € 0,094 | € 0,94 |
1000+ | € 0,077 | € 0,78 |
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onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.5 to 20mA
Maximum Drain Gate Voltage
25V dc
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 Ω
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
11pF
Dimensiones
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Altura
1.01mm
Profundidad
1.4mm
Datos del producto
JFET de canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.