Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
-7 to -60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 Ω
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
11pF
Capacidad Fuente-Puerta
11pF
Dimensiones
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Altura
1.01mm
Profundidad
1.4mm
Datos del producto
JFET de canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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$ 0,194
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
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Empaque de Producción (Rollo)
25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
25 - 75 | $ 0,194 | $ 4,85 |
100 - 225 | $ 0,111 | $ 2,78 |
250 - 475 | $ 0,103 | $ 2,57 |
500 - 975 | $ 0,096 | $ 2,41 |
1000+ | $ 0,081 | $ 2,03 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
-7 to -60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 Ω
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
11pF
Capacidad Fuente-Puerta
11pF
Dimensiones
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Altura
1.01mm
Profundidad
1.4mm
Datos del producto
JFET de canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.