JFET, MMBFJ112, N-Canal, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
2.92mm
Altura
0.93mm
Profundidad
1.3mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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| 100 - 225 | € 0,207 | € 5,18 |
| 250 - 475 | € 0,179 | € 4,48 |
| 500 - 975 | € 0,157 | € 3,94 |
| 1000+ | € 0,143 | € 3,57 |
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Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
2.92mm
Altura
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Profundidad
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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