JFET, MMBFJ111, N-Canal, 15 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 Ω
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
1.04mm
Profundidad
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,292 | € 14,60 |
| 500 - 950 | € 0,252 | € 12,58 |
| 1000+ | € 0,218 | € 10,91 |
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15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
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Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 Ω
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
1.04mm
Profundidad
1.3mm
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