Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
0.05 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
120 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
110 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, más de 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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€ 0,082
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
1000
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, más de 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.