Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-1.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-150 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-150 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
4 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
9.9 x 4.5 x 9.2mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores PNP de pequeña señal, 60 V a 160 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
5
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5
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onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-1.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-150 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-150 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
4 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
9.9 x 4.5 x 9.2mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores PNP de pequeña señal, 60 V a 160 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.