Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 2mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 Ω
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5.2mm
Altura
5.33mm
Profundidad
4.19mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 0,279
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50 - 450 | € 0,279 | € 13,95 |
500+ | € 0,241 | € 12,04 |
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Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 2mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 Ω
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5.2mm
Altura
5.33mm
Profundidad
4.19mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.