Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 40mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
Ω12
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
85pF
Capacidad Fuente-Puerta
85pF
Dimensiones
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
4.58mm
Altura
4.58mm
Profundidad
3.86mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 10,00
€ 0,40 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
€ 10,00
€ 0,40 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,40 | € 10,00 |
100 - 225 | € 0,345 | € 8,62 |
250 - 475 | € 0,299 | € 7,48 |
500+ | € 0,263 | € 6,59 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 40mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
Ω12
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
85pF
Capacidad Fuente-Puerta
85pF
Dimensiones
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
4.58mm
Altura
4.58mm
Profundidad
3.86mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.