Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PQFN8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
107000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Profundidad
5.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.25V
País de Origen
Philippines
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PQFN8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
107000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Profundidad
5.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.25V
País de Origen
Philippines