MOSFET onsemi FCH040N65S3-F155, VDSS 650 V, ID 65 A, TO-247 de 3 pines, 2elementos, config. Simple

Código de producto RS: 146-4096Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: FCH040N65S3-F155
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

65 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Series

SuperFET III

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

417000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V ac/dc

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

16.26mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

136 a 10 V nC

Ancho

5.3mm

Número de Elementos por Chip

2

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

21.08mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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MOSFET onsemi FCH040N65S3-F155, VDSS 650 V, ID 65 A, TO-247 de 3 pines, 2elementos, config. Simple

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
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Series

SuperFET III

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

417000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V ac/dc

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

16.26mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

136 a 10 V nC

Ancho

5.3mm

Número de Elementos por Chip

2

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

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