MOSFET onsemi BSS138, VDSS 50 V, ID 220 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
220 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud:
2.92mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,7 nC a 10 V
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.93mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 20,00
€ 0,20 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 20,00
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Empaque de Producción (Rollo)
100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,20 | € 2,00 |
| 250 - 490 | € 0,174 | € 1,74 |
| 500 - 990 | € 0,152 | € 1,52 |
| 1000+ | € 0,139 | € 1,39 |
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Tipo de Encapsulado
SOT-23
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Longitud:
2.92mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
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Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.93mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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País de Origen
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Datos del producto
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
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