Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
8 to 80mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
0.4 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
0.97mm
Ancho
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 0,139
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
500
€ 0,139
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Empaque de Producción (Rollo)
500
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
500 - 900 | € 0,139 | € 13,87 |
1000+ | € 0,121 | € 12,08 |
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N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
8 to 80mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
0.4 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
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Single
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Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
0.97mm
Ancho
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.