Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN/PNP
Corriente DC Máxima del Colector
200 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
380 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
420
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
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1000 - 2900 | € 0,054 | € 5,38 |
3000+ | € 0,042 | € 4,21 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN/PNP
Corriente DC Máxima del Colector
200 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
380 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
420
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China