JFET, 2SK3557-6-TB-E, N-Canal, 15 V, Único, CP, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
10 to 20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Ancho
1.5mm
Largo
2.9mm
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 30,86
€ 0,309 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 225 | € 0,309 | € 7,71 |
| 250 - 475 | € 0,267 | € 6,67 |
| 500 - 975 | € 0,234 | € 5,86 |
| 1000+ | € 0,214 | € 5,35 |
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
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Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Ancho
1.5mm
Largo
2.9mm
Altura
1.1mm
País de Origen
China
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