Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
17 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-264
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
80
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
250 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
30 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
20 x 5 x 26mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de potencia, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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€ 3,801
Each (In a Tube of 25) (Sin IVA)
25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
25 - 100 | € 3,801 | € 95,02 |
125 - 225 | € 3,235 | € 80,87 |
250+ | € 3,151 | € 78,77 |
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onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
17 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-264
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
80
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
250 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
30 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
20 x 5 x 26mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de potencia, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.