Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A dc
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Dimensiones del Cuerpo
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.53mm
Altura
15.75mm
Profundidad
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
País de Origen
China
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€ 10,36
€ 1,036 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
€ 10,36
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Empaque de Producción (Tubo)
10
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NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A dc
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
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Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Dimensiones del Cuerpo
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.53mm
Altura
15.75mm
Profundidad
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
País de Origen
China