Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
500mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
160pF
Capacidad Fuente-Puerta
160pF
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Altura
5.33mm
Profundidad
4.19mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
500mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
160pF
Capacidad Fuente-Puerta
160pF
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Altura
5.33mm
Profundidad
4.19mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.