onsemi FGB40T65SPD-F085, P-Channel IGBT, 80 A 650 V, 2+Tab-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorCorriente Máxima Continua del Colector
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
267 W
Número de transistores
1
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
P
Conteo de Pines
2+Tab
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Capacitancia de puerta
1520pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Estándar de automoción
AEC-Q101
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P.O.A.
800
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800
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Brand
ON SemiconductorCorriente Máxima Continua del Colector
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
267 W
Número de transistores
1
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
P
Conteo de Pines
2+Tab
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Capacitancia de puerta
1520pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Estándar de automoción
AEC-Q101