MOSFET NXP BUK9575-100A,127, VDSS 100 V, ID 23 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
72 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
98 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de funcionamiento máxima
+175 °C
Longitud:
10.3mm
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.4mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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P.O.A.
5
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Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
72 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
98 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de funcionamiento máxima
+175 °C
Longitud:
10.3mm
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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