Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
BSS138AKA
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1,06 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,39 nC a 4,5 V
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 0,143
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100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,143 | € 14,27 |
500 - 900 | € 0,131 | € 13,08 |
1000 - 2400 | € 0,122 | € 12,25 |
2500 - 4900 | € 0,113 | € 11,30 |
5000+ | € 0,103 | € 10,34 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
BSS138AKA
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1,06 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,39 nC a 4,5 V
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto