Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Material del transistor
Si
Profundidad
1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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£ 0,053
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
3000 - 3000 | £ 0,053 | £ 159,00 |
6000 - 12000 | £ 0,05 | £ 150,00 |
15000 - 27000 | £ 0,048 | £ 144,00 |
30000 - 57000 | £ 0,044 | £ 132,00 |
60000+ | £ 0,043 | £ 129,00 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Material del transistor
Si
Profundidad
1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto