Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
LittlefuseCorriente Máxima Continua del Colector
50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
440 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±15V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Tipo de Encapsulado
D-PAK
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 7.49 x 2.38mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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P.O.A.
1
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Brand
LittlefuseCorriente Máxima Continua del Colector
50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
440 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±15V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Tipo de Encapsulado
D-PAK
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 7.49 x 2.38mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.