MOSFET IXYS IXFN210N30P3, VDSS 300 V, ID 192 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
192 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
300 V
Series
HiperFET, Polar3
Tipo de Encapsulado
SOT-227
Tipo de Montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
1,5 kW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
25.07mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
38.23mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
268 nC @ 10 V
Altura
9.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™
Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 42,689
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Material del transistor
Si
Longitud
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