Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
44 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Serie
HiperFET, Q3-Class
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
6.5V
Disipación de Potencia Máxima
830 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
16.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
93 nC a 10 V
Ancho
5.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
16.26mm
País de Origen
United States
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3
Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.
Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
44 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Serie
HiperFET, Q3-Class
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
6.5V
Disipación de Potencia Máxima
830 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
16.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
93 nC a 10 V
Ancho
5.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
16.26mm
País de Origen
United States
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3
Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.
Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS