Transistor MOSFET International Rectifier IRF540NPBF, VDSS 100 V, ID 33 A, TO-220AB de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
44 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
130000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
71 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.54mm
Ancho
4.69mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
8.77mm
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P.O.A.
1
P.O.A.
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
44 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
130000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
71 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.54mm
Ancho
4.69mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
8.77mm