MOSFET Infineon SPD08P06PGBTMA1, VDSS 60 V, ID 8,8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

8.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

300 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

42000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Longitud

6.73mm

Profundidad

6.22mm

Series

SIPMOS

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

2.41mm