Transistor MOSFET Infineon IRFZ44ESPBF, VDSS 60 V, ID 48 A, D2PAK de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
48 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DDPAK
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Ancho
9.65mm
Material del transistor
Si
Altura
4.83mm
Series
HEXFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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DDPAK
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Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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